氮化鎵（GaN）材料是第三代半導體的代表，通常以GaCl3為鎵源，NH3為氮源制備，具有出色的抗擊穿能力，能耐受更高的電子密度。
（1）基態Ga價電子排布圖為 
。
（2）Ga、N和O的第一電離能由小到大的順序為 Ga＜O＜NGa＜O＜N，NO3-的空間構型為 平面三角形平面三角形，與其互為等電子體的微粒有 CO32-或SO32-或BF3CO32-或SO32-或BF3（任寫一種）
（3）GaCl3熔點為77.9℃，氣體在270℃左右以二聚物存在，GaF3熔點1000℃，GaCl3二聚體的結構式為 
，其熔點低于GaF3的原因為 GaCl3為分子晶體熔化時破壞分子間作用力，GaF3為離子晶體，熔化時破壞離子鍵，離子鍵強于分子間作用力所以GaCl3的熔點低于GaF3GaCl3為分子晶體熔化時破壞分子間作用力，GaF3為離子晶體，熔化時破壞離子鍵，離子鍵強于分子間作用力所以GaCl3的熔點低于GaF3。
（4）與鎵同主族的B具有缺電子性，硼砂（四硼酸鈉Na2B4O7?10H2O）中B4O72-是由兩個H3BO3和兩個[B（OH）4]-縮合而成的雙六元環，應寫成[B4O5（OH）4]2-的形式，結構如圖所示，則該離子存在的作用力有 B、FB、F，B原子的雜化方式為 sp2、sp3sp2、sp3。
A.離子鍵
B.共價鍵
C.金屬鍵
D.范德華力
E.氫鍵
F.配位鍵
（5）氮化鎵的晶胞如圖所示，Ga原子與N原子半徑分別為apm和bpm,阿伏加德羅常數的值為NA，晶胞密度為cg/cm3，則該晶胞的空間利用率為 43π（a3+b3）×10-30cNA（70+14）×100%43π（a3+b3）×10-30cNA（70+14）×100%（已知空間利用率為晶胞內原子體積占晶胞體積的百分比）。
4
3
π
（
a
3
+
b
3
）
×
1
0
-
30
c
N
A
（
70
+
14
）
4
3
π
（
a
3
+
b
3
）
×
1
0
-
30
c
N
A
（
70
+
14
）
【答案】；Ga＜O＜N；平面三角形；CO32-或SO32-或BF3；；GaCl3為分子晶體熔化時破壞分子間作用力，GaF3為離子晶體，熔化時破壞離子鍵，離子鍵強于分子間作用力所以GaCl3的熔點低于GaF3；B、F；sp2、sp3；×100%
；Ga＜O＜N；平面三角形；CO32-或SO32-或BF3；；GaCl3為分子晶體熔化時破壞分子間作用力，GaF3為離子晶體，熔化時破壞離子鍵，離子鍵強于分子間作用力所以GaCl3的熔點低于GaF3；B、F；sp2、sp3；4
3
π
（
a
3
+
b
3
）
×
1
0
-
30
c
N
A
（
70
+
14
）
【解答】
【點評】
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發布：2024/6/27 10:35:59組卷：12引用：1難度：0.5
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1．鐵及其化合物在生產生活及科學研究方面應用非常廣泛。
（1）基態Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數為；晶體的配位體為（用化學符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
2．碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題：
（1）基態碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數目和π鍵數目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結構如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
3．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數依次增大，其相關信息如下：
①A的周期序數等于其主族序數；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態E原子中，電子占據的最高能層符號為，F的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現藍色沉淀，繼續滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結構（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數用NA表示，F的相對原子質量用M表示）發布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5