2021-2022學年“四省八校”高三(上)期中化學試卷
發布:2024/12/14 1:30:1
一、選擇題:本題共7小題,每小題6分。在每小題給出的四個選項中,只有一項是符合題目要求的。
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1.化學與生產、生活息息相關。下列敘述不正確的是( )
A.陶瓷是應用較早的人造材料,主要化學成分是硅酸鹽 B.鈦是一種性能優越的金屬,常用于飛機、火箭、導彈等的制造領域 C.洗發時使用的護發素,能夠調節頭皮的pH使之達到適宜酸堿度 D.由于天然氣是清潔能源,可以無限制的開采和使用 組卷:4引用:1難度:0.6 -
2.已知NA為阿伏加德羅常數的值,下列說法正確的是( )
A.標準狀況下,11.2L的CH4和C2H4的混合氣體中C-H鍵個數為2NA B.一定條件下,1molH2與足量碘蒸氣充分反應,轉移電子總數為2NA C.25℃時,pH=13的氨水中由水電離出的氫離子數目為10-13NA D.常溫下,56g鐵片與足量濃硫酸反應生成NA個SO2分子 組卷:15引用:1難度:0.8 -
3.糠醛是重要的化工原料,其結構如圖所示,下列關于糠醛的敘述正確的是( )
A.糠醛中含有兩種官能團 B.1mol糠醛完全加成消耗2mol氫氣 C.糠醛與氫氣完全加成的產物能夠發生酯化反應 D.所有原子一定共平面 組卷:9引用:1難度:0.5 -
4.M、X、Y、Z為原子序數依次增大的短周期主族元素,其中M、Z位于同一主族,Z的最高價含氧酸為強酸。M、Z的原子序數之和是X的2倍,Y的最外層電子數等于Z和X的最外層電子數之差。下列敘述正確的是( )
A.氫化物沸點:M<Z B.原子半徑:M<X<Y<Z C.工業上用電解法制備單質X D.華為芯片的主要成分為Y的氧化物 組卷:33引用:1難度:0.6
[化學——選修三:物質結構與性質]
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11.氮化鎵(GaN)材料是第三代半導體的代表,通常以GaCl3為鎵源,NH3為氮源制備,具有出色的抗擊穿能力,能耐受更高的電子密度。
(1)基態Ga價電子排布圖為
(2)Ga、N和O的第一電離能由小到大的順序為
(3)GaCl3熔點為77.9℃,氣體在270℃左右以二聚物存在,GaF3熔點1000℃,GaCl3二聚體的結構式為
(4)與鎵同主族的B具有缺電子性,硼砂(四硼酸鈉Na2B4O7?10H2O)中B4O72-是由兩個H3BO3和兩個[B(OH)4]-縮合而成的雙六元環,應寫成[B4O5(OH)4]2-的形式,結構如圖所示,則該離子存在的作用力有
A.離子鍵
B.共價鍵
C.金屬鍵
D.范德華力
E.氫鍵
F.配位鍵
(5)氮化鎵的晶胞如圖所示,Ga原子與N原子半徑分別為apm和bpm,阿伏加德羅常數的值為NA,晶胞密度為cg/cm3,則該晶胞的空間利用率為組卷:12引用:1難度:0.5
二.[化學——選修五:有機化學基礎]
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12.化合物K是一種有機光電材料中間體。實驗室由芳香化合物A制備K的一種合成路線如圖:
已知:①在同一個碳原子上連有兩個羥基不穩定,易脫水形成羰基;
②RCHO+CH3CHORCH=CHCHO+H2O。NaOH/H2O
③
回答下列問題:
(1)B的分子式為
(2)D→E第一步的化學反應方程式為
(3)F→G第一步的化學反應方程式為
(4)J的結構簡式為
(5)芳香化合物X是E的同分異構體,X具有以下特點:①只有一個環狀結構,②具有兩個相同的官能團,③能發生銀鏡反應,X共有
(6)根據上述路線中的相關知識,以乙醇為原料用不超過三步的反應設計合成1-丁醇組卷:23引用:4難度:0.5