試卷征集
          加入會員
          操作視頻

          砷化鎵屬于第三代半導體,其晶胞結構如右圖所示,回答下列問題:
          (1)下列說法中正確的是
          ACE
          ACE

          A.電負性:As>Ga
          B.第一電離能:As<Ga
          C.砷和鎵都屬于p區元素
          D.砷和鎵的晶胞結構與NaCl相同
          E.半導體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體
          (2)砷化鎵是將(CH33Ga和AsH3用MOCVD方法制備得到,該反應在700℃進行,反應的化學方程式為
          (CH33Ga+AsH3
          700
          GaAs+3CH4
          (CH33Ga+AsH3
          700
          GaAs+3CH4
          。AsH3的空間構型為
          三角錐形
          三角錐形
          ,(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
          sp2
          sp2

          (3)Ga的核外電子排布式為
          1s22s22p63s23p63d104s24p1
          1s22s22p63s23p63d104s24p1

          (4)AsH3的沸點比NH3,其原因是
          NH3分子間能形成氫鍵,而As電負性小,半徑大,分子間不能形成氫鍵
          NH3分子間能形成氫鍵,而As電負性小,半徑大,分子間不能形成氫鍵

          (5)砷化鎵晶體中最近的砷和鎵原子核間距為acm,砷化鎵的摩爾質量為bg/mol-1,阿伏加德羅常數值為NA,則砷化鎵晶體密度的表達式
          4
          b
          N
          A
          ×
          4
          3
          3
          a
          3
          4
          b
          N
          A
          ×
          4
          3
          3
          a
          3
          g/cm-3
          (6)60年代美國化學家鮑林提出了一個經驗規則:設含氧酸的化學式為HnROm,其中(m-n)為非羥基氧原子數,鮑林認為含氧酸的強弱與非羥基氧原子數(m-n)的關系見下表.
          m-n 0 1 2 3
          含氧酸強度 弱酸 中強 很強
          實例 HClO H3PO4 HNO3 HClO4
          試回答下列問題:
          ①按此規則判斷H3AsO4、H2CrO4、HMnO4酸性由弱到強的順序為
          H3AsO4<H2CrO4<HMnO4
          H3AsO4<H2CrO4<HMnO4

          ②H3PO3和H3AsO3的形式一樣,但酸性強弱相差很大.已知H3PO3為中強酸,H3AsO3為弱酸,試推斷H3PO3和H3AsO3的分子結構

          ③按此規則判斷碳酸應屬于
          中強
          中強
          酸,與通常認為的碳酸的強度是否一致?
          不一致
          不一致
          .其可能的原因是
          溶于水的那部分CO2并不能完全轉化為H2CO3
          溶于水的那部分CO2并不能完全轉化為H2CO3

          【答案】ACE;(CH33Ga+AsH3
          700
          GaAs+3CH4;三角錐形;sp2;1s22s22p63s23p63d104s24p1;NH3分子間能形成氫鍵,而As電負性小,半徑大,分子間不能形成氫鍵;
          4
          b
          N
          A
          ×
          4
          3
          3
          a
          3
          ;H3AsO4<H2CrO4<HMnO4;中強;不一致;溶于水的那部分CO2并不能完全轉化為H2CO3
          【解答】
          【點評】
          聲明:本試題解析著作權屬菁優網所有,未經書面同意,不得復制發布。
          發布:2024/4/20 14:35:0組卷:13引用:1難度:0.5
          相似題
          • 1.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數依次增大,其相關信息如下:
            ①A的周期序數等于其主族序數;
            ②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子;
            ③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1
            ④F原子有四個能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個電子.
            試回答下列問題:
            (1)基態E原子中,電子占據的最高能層符號為
             
            ,F的價層電子排布式為
             

            (2)B、C、D的電負性由大到小的順序為
             
            (用元素符號填寫),C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為
             

            (3)B和D分別與A形成的化合物的穩定性:BA4小于A2D,原因是
             

            (4)以E、F的單質為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應式為
             

            (5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現藍色沉淀,繼續滴加氨水,藍色沉淀溶解,得到深藍色溶液,再向深藍色透明溶液中加入乙醇,析出深藍色晶體.藍色沉淀溶解的離子方程式為
             

            (6)F的晶胞結構(面心立方)如圖2所示:已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為
             
            g/cm3(阿伏加德羅常數用NA表示,F的相對原子質量用M表示)

            發布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5
          • 2.鐵及其化合物在生產生活及科學研究方面應用非常廣泛。
            (1)基態Fe原子的價層電子的電子排布圖為
             
            ;其最外層電子的電子云形狀為
             

            (2)(NH42Fe(SO42?6H2O俗稱摩爾鹽
            ①NH4+電子式為
             

            ②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為
             
            (用元素符號表示)
            ③SO42-中S原子的雜化方式為
             
            ,VSEPR模型名稱為
             

            (3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數為
             
            ;晶體的配位體為
             
            (用化學符號表示)
            (4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數的值為NA,其晶體密度的計算表達式為
             
            g?cm-3

            發布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7
          • 3.碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題:
            (1)基態碳原子的價層電子排布圖為
             

            (2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
             
             
            ,所含σ鍵數目和π鍵數目之比為
             

            (3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構型,比較三者鍵角的大小
             
            (由大到小,用H一R-H表示),其原因是
             

            (4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據此判斷C60的晶體類型是
             

            (5)C60晶胞結構如圖,C60分子處于頂點和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
             
            g/cm3
            C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點構成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點構成),則平均每一個C60晶胞中有
             
            個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后,這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫(Cs)填滿所有空隙,距離最近的兩個Cs原子間的距離為
             
             ?。

            發布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
          APP開發者:深圳市菁優智慧教育股份有限公司| 應用名稱:菁優網 | 應用版本:5.0.7 |隱私協議|第三方SDK|用戶服務條款
          本網部分資源來源于會員上傳,除本網組織的資源外,版權歸原作者所有,如有侵犯版權,請立刻和本網聯系并提供證據,本網將在三個工作日內改正