鎵是一種低熔點、高沸點的稀有金屬，有“電子工業脊梁”的美譽，被廣泛應用到光電子工業和微波通信工業?；卮鹣铝袉栴}：
（1）鎵Ga的原子結構示意圖為，鎵元素在元素周期表中的位置是

第四周期第ⅢA族

第四周期第ⅢA族

。
（2）GaAs的熔點為1238℃，且熔融狀態不導電，據此判斷，該化合物是

共價化合物

共價化合物

 （填“共價化合物”或“離子化合物”）。
（3）已知As與Ga同周期As與N同主族。
①用原子結構理論推測，GaAs中As元素的化合價為

-3

-3

。
②下列事實不能用元素周期律解釋的是

d

d

（填標序號）。
a原子半徑：Ga＞As
b.熱穩定性：NH₃＞AsH₃
c.堿性：Ga（OH）₃＞Al（OH）₃
d.酸性：H₃AsO₄＞H₃AsO₃
（4）GaN是一種直接能隙（diretbandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。一種鎳催化法生產GaN的工藝如圖：

①“熱轉化”時在Ni的催化下Ga轉化為GaN的化學方程式是

2Ga+2NH₃

N

i

△

2GaN+3H₂

2Ga+2NH₃

N

i

△

2GaN+3H₂

。
②“酸浸”操作的目的是

除去GaN中混有的少量Ni

除去GaN中混有的少量Ni

。
③某學校化學興趣小組在實驗室利用如圖裝置模擬制備氮化鎵：

儀器X中的試劑是

氨水

氨水

；加熱前需先通入一段時間的H₂，原因是

排出空氣，防止金屬被氧化

排出空氣，防止金屬被氧化

；裝置G的作用是

吸收過量的氨氣，防止污染環境

吸收過量的氨氣，防止污染環境

。