試卷征集
          加入會員
          操作視頻

          非線性光學晶體在信息、激光技術、醫療、國防等領域具有重要應用價值。我國科學家利用Cs2CO3、XO2(X=Si、Ge)和H3BO3首次合成了組成為CsXB3O7的非線性光學晶體。回答下列問題:
          (1)C、O、Si三種元素電負性由大到小的順序為
          O>C>Si
          O>C>Si
          ;第一電離能I1(Si)
          I1(Ge)(填>或<)。
          (2)基態Ge原子核外電子排布式為
          1s22s22p63s23p63d104s24p2(或[Ar]3d104s24p2
          1s22s22p63s23p63d104s24p2(或[Ar]3d104s24p2
          ;SiO2、GeO2具有類似的晶體結構,其中熔點較高的是
          SiO2
          SiO2
          ,原因是
          二者均為原子晶體,Ge原子半徑大于Si,Si-O鍵長小于Ge-O鍵長,SiO2鍵能更大,熔點更高
          二者均為原子晶體,Ge原子半徑大于Si,Si-O鍵長小于Ge-O鍵長,SiO2鍵能更大,熔點更高

          (3)如圖1為硼酸晶體的片層結構,其中硼的雜化方式為
          sp2
          sp2
          。H3BO3在熱水中比冷水中溶解度顯著增大的主要原因是
          熱水破壞了硼酸晶體中的氫鍵,并且硼酸分子與水形成分子間氫鍵,使溶解度增大
          熱水破壞了硼酸晶體中的氫鍵,并且硼酸分子與水形成分子間氫鍵,使溶解度增大


          (4)以晶胞參數為單位長度建立的坐標系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子分數坐標。CsSiB3O7屬正交晶系(長方體形)。晶胞參數為a pm、b pm、c pm.如圖2為沿y軸投影的晶胞中所有Cs原子的分布圖和原子分數坐標。據此推斷該晶胞中Cs原子的數目為
          4
          4
          。CsSiB3O7的摩爾質量為M g?mol-1,設NA為阿伏加德羅常數的值,則CsSiB3O7晶體的密度為
          4
          M
          abc
          N
          A
          ×
          10
          30
          4
          M
          abc
          N
          A
          ×
          10
          30
          g?cm-3(用代數式表示)。

          【答案】O>C>Si;>;1s22s22p63s23p63d104s24p2(或[Ar]3d104s24p2);SiO2;二者均為原子晶體,Ge原子半徑大于Si,Si-O鍵長小于Ge-O鍵長,SiO2鍵能更大,熔點更高;sp2;熱水破壞了硼酸晶體中的氫鍵,并且硼酸分子與水形成分子間氫鍵,使溶解度增大;4;
          4
          M
          abc
          N
          A
          ×
          10
          30
          【解答】
          【點評】
          聲明:本試題解析著作權屬菁優網所有,未經書面同意,不得復制發布。
          發布:2024/6/27 10:35:59組卷:27引用:3難度:0.5
          相似題
          • 1.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數依次增大,其相關信息如下:
            ①A的周期序數等于其主族序數;
            ②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子;
            ③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1
            ④F原子有四個能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個電子.
            試回答下列問題:
            (1)基態E原子中,電子占據的最高能層符號為
             
            ,F的價層電子排布式為
             

            (2)B、C、D的電負性由大到小的順序為
             
            (用元素符號填寫),C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為
             

            (3)B和D分別與A形成的化合物的穩定性:BA4小于A2D,原因是
             

            (4)以E、F的單質為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應式為
             

            (5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現藍色沉淀,繼續滴加氨水,藍色沉淀溶解,得到深藍色溶液,再向深藍色透明溶液中加入乙醇,析出深藍色晶體.藍色沉淀溶解的離子方程式為
             

            (6)F的晶胞結構(面心立方)如圖2所示:已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為
             
            g/cm3(阿伏加德羅常數用NA表示,F的相對原子質量用M表示)

            發布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5
          • 2.鐵及其化合物在生產生活及科學研究方面應用非常廣泛。
            (1)基態Fe原子的價層電子的電子排布圖為
             
            ;其最外層電子的電子云形狀為
             

            (2)(NH42Fe(SO42?6H2O俗稱摩爾鹽
            ①NH4+電子式為
             

            ②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為
             
            (用元素符號表示)
            ③SO42-中S原子的雜化方式為
             
            ,VSEPR模型名稱為
             

            (3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數為
             
            ;晶體的配位體為
             
            (用化學符號表示)
            (4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數的值為NA,其晶體密度的計算表達式為
             
            g?cm-3

            發布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7
          • 3.碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題:
            (1)基態碳原子的價層電子排布圖為
             

            (2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
             
             
            ,所含σ鍵數目和π鍵數目之比為
             

            (3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構型,比較三者鍵角的大小
             
            (由大到小,用H一R-H表示),其原因是
             

            (4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據此判斷C60的晶體類型是
             

            (5)C60晶胞結構如圖,C60分子處于頂點和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
             
            g/cm3
            C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點構成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點構成),則平均每一個C60晶胞中有
             
            個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后,這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫(Cs)填滿所有空隙,距離最近的兩個Cs原子間的距離為
             
             ?。

            發布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
          APP開發者:深圳市菁優智慧教育股份有限公司| 應用名稱:菁優網 | 應用版本:5.0.7 |隱私協議|第三方SDK|用戶服務條款
          本網部分資源來源于會員上傳,除本網組織的資源外,版權歸原作者所有,如有侵犯版權,請立刻和本網聯系并提供證據,本網將在三個工作日內改正