含鎵（Ga）化合物在半導體材料、醫藥行業等領域發揮重要作用。回答下列問題：
（1）基態鎵原子最外層的電子排布圖為 
或
或。
（2）Ga與Zn的第一電離能大小關系為：Ga ＜＜Zn（填“＞”“＜”或“=”）。
（3）GaX3的熔沸點如下表所示。
| 鎵的鹵化物 | GaCl3 | GaBr3 | GaI3 |
| 熔點/℃ | 77.75 | 122.3 | 211.5 |
| 沸點/℃ | 201.2 | 279 | 346 |
GaCl3
GaCl3
（填化學式），沸點依次升高的原因是 三者均屬于分子晶體，相對分子質量依次增大，分子間作用力增強，熔沸點依次升高
三者均屬于分子晶體，相對分子質量依次增大，分子間作用力增強，熔沸點依次升高
。②GaF3的熔點約1000℃，遠高于GaCl3的熔點，原因是
GaF3屬于離子晶體，GaCl3為分子晶體，離子晶體熔點高于分子晶體
GaF3屬于離子晶體，GaCl3為分子晶體，離子晶體熔點高于分子晶體
。（4）鎵配合物具有高的反應活性和良好的選擇性．在藥物領域得到廣泛的關注。GaCl3與2-甲基8-羥基喹啉（
）在一定條件下反應可以得到一種喹啉類鎵配合物（M），其結構如圖1所示。2-甲基-8-羥基喹啉分子中碳原子的雜化軌道類型為 sp2、sp3
sp2、sp3
；H、C、N的原子半徑由大到小的順序為 C＞N＞H
C＞N＞H
。
（5）作為第二代半導體，砷化鎵單晶因其價格昂貴而素有“半導體貴族”之稱。砷化鎵是由Ga（CH3）3和AsH3在一定條件下制備得到，同時得到另一物質，該物質分子是
非極性分子
非極性分子
（填“極性分子”或“非極性分子”），AsH3分子的空間形狀為 三角錐形
三角錐形
。（6）GaN是制造LED的重要材料，被譽為“第三代半導體材料”。其晶體結構如圖2所示：
①在GaN晶體中，距離每個Ga原子最近的Ga原子有
4
4
個，N原子的配位數為 4
4
。②GaN的密度為
336
N
A
×
3
×
a
2
×
c
336
N
A
×
3
×
a
2
×
c
【答案】或；＜；GaCl3；三者均屬于分子晶體，相對分子質量依次增大，分子間作用力增強，熔沸點依次升高；GaF3屬于離子晶體，GaCl3為分子晶體，離子晶體熔點高于分子晶體；sp2、sp3；C＞N＞H；非極性分子；三角錐形；4；4；
；＜；GaCl3；三者均屬于分子晶體，相對分子質量依次增大，分子間作用力增強，熔沸點依次升高；GaF3屬于離子晶體，GaCl3為分子晶體，離子晶體熔點高于分子晶體；sp2、sp3；C＞N＞H；非極性分子；三角錐形；4；4；336
N
A
×
3
×
a
2
×
c
【解答】
【點評】
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發布：2024/4/20 14:35:0組卷：22引用：1難度：0.6
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數依次增大，其相關信息如下：
①A的周期序數等于其主族序數；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態E原子中，電子占據的最高能層符號為，F的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現藍色沉淀，繼續滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
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2．鐵及其化合物在生產生活及科學研究方面應用非常廣泛。
（1）基態Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數為；晶體的配位體為（用化學符號表示）
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（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據此判斷C60的晶體類型是。
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