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          半導(dǎo)體芯片的關(guān)鍵材料是我國優(yōu)先發(fā)展的新材料。經(jīng)過半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展,硅基材料的半導(dǎo)體器件性能已經(jīng)接近其物理極限,以碳化硅、氯化鎵等為代表的第二代半導(dǎo)體材料成為當(dāng)今熱點(diǎn)。
          回答如下問題:
          (1)上述材料所涉及的四種元素中,原子半徑最大的是
          Ga
          Ga
          (填元素符號,下同),這四種元素中第一電離能最大的是
          N
          N
          ,基態(tài)Si原子的電子占據(jù)的軌道數(shù)目是
          8
          8
          個(gè)。
          (2)硅酸根SiO44-的空間構(gòu)型是
          正四面體
          正四面體
          ,其中Si的價(jià)層電子對數(shù)目為
          4
          4
          、雜化軌道類型為
          sp3
          sp3

          (3)上述材料所涉及的四種元素對應(yīng)的單質(zhì)中,熔沸點(diǎn)最低的是
          N2
          N2
          ,原因是
          N2為分子晶體,分子之間是較弱的范德華力結(jié)合
          N2為分子晶體,分子之間是較弱的范德華力結(jié)合

          (4)GaN被譽(yù)為21世紀(jì)引領(lǐng)5G時(shí)代的基石材料,是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)。有一種氮化鎵的六方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,請?jiān)趫D中構(gòu)建一個(gè)以Ga原子為中心的四面體結(jié)構(gòu)(涂成◎)
          (5)材料密度是制作芯片的重要參數(shù)之一,已知Si的共價(jià)半徑是125pm。求每立方厘米體積的單晶硅中硅的原子數(shù)目為
          4.2×1022
          4.2×1022
          (保留 2位有效數(shù)字)。

          【答案】Ga;N;8;正四面體;4;sp3;N2;N2為分子晶體,分子之間是較弱的范德華力結(jié)合;4.2×1022
          【解答】
          【點(diǎn)評】
          聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
          發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:12引用:1難度:0.4
          相似題
          • 1.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
            (1)基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為
             
            ;其最外層電子的電子云形狀為
             

            (2)(NH42Fe(SO42?6H2O俗稱摩爾鹽
            ①NH4+電子式為
             

            ②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
             
            (用元素符號表示)
            ③SO42-中S原子的雜化方式為
             
            ,VSEPR模型名稱為
             

            (3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
             
            ;晶體的配位體為
             
            (用化學(xué)符號表示)
            (4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為
             
            g?cm-3

            發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7
          • 2.碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題:
            (1)基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為
             

            (2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
             
             
            ,所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為
             

            (3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
             
            (由大到小,用H一R-H表示),其原因是
             

            (4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
             

            (5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
             
            g/cm3
            C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成),則平均每一個(gè)C60晶胞中有
             
            個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后,這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫(Cs)填滿所有空隙,距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為
             
             ?。

            發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
          • 3.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關(guān)信息如下:
            ①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù);
            ②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對電子;
            ③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1
            ④F原子有四個(gè)能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個(gè)電子.
            試回答下列問題:
            (1)基態(tài)E原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為
             
            ,F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為
             

            (2)B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
             
            (用元素符號填寫),C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為
             

            (3)B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性:BA4小于A2D,原因是
             

            (4)以E、F的單質(zhì)為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應(yīng)式為
             

            (5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,藍(lán)色沉淀溶解,得到深藍(lán)色溶液,再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇,析出深藍(lán)色晶體.藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為
             

            (6)F的晶胞結(jié)構(gòu)(面心立方)如圖2所示:已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為
             
            g/cm3(阿伏加德羅常數(shù)用NA表示,F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示)

            發(fā)布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5
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