半導(dǎo)體芯片的關(guān)鍵材料是我國優(yōu)先發(fā)展的新材料。經(jīng)過半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展，硅基材料的半導(dǎo)體器件性能已經(jīng)接近其物理極限，以碳化硅、氯化鎵等為代表的第二代半導(dǎo)體材料成為當(dāng)今熱點(diǎn)。
回答如下問題：
（1）上述材料所涉及的四種元素中，原子半徑最大的是 GaGa（填元素符號，下同），這四種元素中第一電離能最大的是 NN，基態(tài)Si原子的電子占據(jù)的軌道數(shù)目是 88個(gè)。
（2）硅酸根SiO44-的空間構(gòu)型是 正四面體正四面體，其中Si的價(jià)層電子對數(shù)目為 44、雜化軌道類型為 sp3sp3。
（3）上述材料所涉及的四種元素對應(yīng)的單質(zhì)中，熔沸點(diǎn)最低的是 N2N2，原因是 N2為分子晶體，分子之間是較弱的范德華力結(jié)合N2為分子晶體，分子之間是較弱的范德華力結(jié)合。
（4）GaN被譽(yù)為21世紀(jì)引領(lǐng)5G時(shí)代的基石材料，是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)。有一種氮化鎵的六方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，請?jiān)趫D中構(gòu)建一個(gè)以Ga原子為中心的四面體結(jié)構(gòu)（涂成◎）
（5）材料密度是制作芯片的重要參數(shù)之一，已知Si的共價(jià)半徑是125pm。求每立方厘米體積的單晶硅中硅的原子數(shù)目為 4.2×10224.2×1022（保留 2位有效數(shù)字）。
【答案】Ga；N；8；正四面體；4；sp3；N2；N2為分子晶體，分子之間是較弱的范德華力結(jié)合；4.2×1022
【解答】
【點(diǎn)評】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：12引用：1難度：0.4
相似題
-
1．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
2．碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
3．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個(gè)能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個(gè)電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價(jià)層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍(lán)色沉淀溶解，得到深藍(lán)色溶液，再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇，析出深藍(lán)色晶體．藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5