在芯片制造過程中，離子注入是其中一道重要的工序。如圖所示是離子注入工作原理的示意圖。靜止于A處的離子，經電壓為U的加速電場加速后，沿圖中半徑為R的虛線通過14圓弧形靜電分析器（靜電分析器通道內有均勻輻向分布的電場）后，從P點沿豎直方向進入半徑為r的圓形勻強磁場區域，磁場方向垂直于紙面向外。該圓形磁場區域的直徑PQ與豎直方向夾角為15°，經磁場偏轉，離子最后垂直打在豎直放置的硅片上。已知離子的質量為m、電荷量為q,不計重力。求：
（1）離子進入圓形勻強磁場區域時的速度大小；
（2）靜電分析器通道內虛線處電場強度的大小E；
（3）勻強磁場的磁感應強度B的大小。
1
4
【答案】（1）離子進入圓形勻強磁場區域時的速度大小v為；
（2）靜電分析器通道內虛線處電場強度的大小E0為；
（3）若磁場方向垂直紙面向外，離子從磁場邊緣上某點出磁場時，可以垂直打到硅片上，則圓形區域內勻強磁場的磁感應強度B0的大小為。
2
q
U
m
（2）靜電分析器通道內虛線處電場強度的大小E0為
2
U
R
0
（3）若磁場方向垂直紙面向外，離子從磁場邊緣上某點出磁場時，可以垂直打到硅片上，則圓形區域內勻強磁場的磁感應強度B0的大小為
2
3
q
U
m
3
qr
【解答】
【點評】
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發布：2024/6/27 10:35:59組卷：61引用：1難度：0.4
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，不考慮P、Q兩板電壓的變化對磁場的影響，也不考慮粒子的重力及粒子間的相互影響，求：ml2qt02
（1）t=0時刻進入兩板間的帶電粒子射入磁場時的速度；
（2）勻強磁場的磁感應強度的大小及磁場區域的面積；
（3）t=t0時刻進入兩板間的帶電粒子在勻強磁場中運動的時間。
發布：2024/12/30 0:0:1組卷：89引用：2難度：0.7