銀離子導(dǎo)體是發(fā)現(xiàn)最早的固體電解質(zhì)，同時也是應(yīng)用面最廣的固體電解質(zhì)，如制作庫侖計、電子開關(guān)、壓敏元件、氣敏傳感器、記憶元件、電容器等電化學(xué)器件。
回答以下問題：
（1）Ag+的價層電子排布式為4d10，寫出Ag在周期表中的位置第五周期第ⅠB族第五周期第ⅠB族。
（2）第三周期各元素的氯化物熔點(diǎn)、沸點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表。
| NaCl | MgCl2 | AlCl3 | SiCl4 | PCl3 | S2Cl2 | |
| 熔點(diǎn)/K | 1074 | 987 | 465 | 205 | 181 | 193 |
| 沸點(diǎn)/K | 1686 | 1691 | 453（升華） | 216 | 349 | 411 |
從左到右第三周期元素電負(fù)性增強(qiáng)，逐漸由離子晶體轉(zhuǎn)化成分子晶體，沸點(diǎn)降低；但從SiCl4開始，相對分子質(zhì)量雖然減小，但分子的極性增強(qiáng)，分子間作用力增大，沸點(diǎn)升高
從左到右第三周期元素電負(fù)性增強(qiáng)，逐漸由離子晶體轉(zhuǎn)化成分子晶體，沸點(diǎn)降低；但從SiCl4開始，相對分子質(zhì)量雖然減小，但分子的極性增強(qiáng)，分子間作用力增大，沸點(diǎn)升高
。（3）偏高碘酸HIO4是無機(jī)非混合酸中氧化性極強(qiáng)的酸之一，可將Mn氧化為HMnO4，將Fe2+氧化為H2FeO4。HIO4的中心原子雜化形式是
sp3雜化
sp3雜化
，構(gòu)成HIO4的三種元素電負(fù)性大小順序是O＞I＞H
O＞I＞H
，在HIO4晶體中存在B、D、E、F
B、D、E、F
。（填字母）A.離子鍵
B.極性共價鍵
C.非極性共價鍵
D.分子間作用力
E.σ鍵
F.π鍵
（4）室溫下，AgI屬于六方ZnS結(jié)構(gòu)，其中S原子作六方密堆積，Zn原子填充在半數(shù)的四面體空隙中。則AgI晶體中I原子的配位數(shù)是
4
4
。（5）400℃以上AgI固體的導(dǎo)電能力是室溫的上萬倍，可與電解質(zhì)溶液媲美，經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)其在146℃以上轉(zhuǎn)化為一種奇特結(jié)構(gòu)：α-AgI，I-作體心立方堆積，而Ag+則選擇性填入Iˉ構(gòu)成的三類孔隙中：八面體孔隙（O）、四面體孔隙（T）和三角形孔隙（Tr），則平均每個α-AgI晶胞中的Ag+數(shù)是
2
2
，Iˉ與Iˉ構(gòu)成的三類孔隙堆積之比為I-：O：T：Tr=1：3
3
：6
6
：12。【答案】第五周期第ⅠB族；從左到右第三周期元素電負(fù)性增強(qiáng)，逐漸由離子晶體轉(zhuǎn)化成分子晶體，沸點(diǎn)降低；但從SiCl4開始，相對分子質(zhì)量雖然減小，但分子的極性增強(qiáng)，分子間作用力增大，沸點(diǎn)升高；sp3雜化；O＞I＞H；B、D、E、F；4；2；3；6
【解答】
【點(diǎn)評】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：15引用：3難度：0.5
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍(lán)色沉淀溶解，得到深藍(lán)色溶液，再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇，析出深藍(lán)色晶體．藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4
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