碳、硅及其化合物在生產、生活中應用廣泛。回答下列問題：
（1）基態Si原子價層電子的運動狀態有 33種。
（2）C、O、Si電負性由小到大的順序為 Si＜C＜OSi＜C＜O；CS2分子的空間構型為 直線型直線型；CS2的熔點 高于高于（填“高于”或“低于”）CO2。
（3）C和Si與O原子結合形成CO2和SiO2時假設采用甲、乙兩種構型：
部分化學鍵的鍵能如表所示：
| 化學鍵 | 鍵能/（kJ?mol-1） | 化學鍵 | 鍵能/（kJ?mol-1） |
| C-C | 331 | C-O | 343 |
| Si-Si | 197 | Si-O | 466 |
| C═C | 620 | CO | 805 |
| Si═Si | 272 | Si═O | 640 |
乙
乙
（填“甲”或“乙”），其雜化方式為 sp3
sp3
，從能量角度解釋Si原子采取該構型的原因是 Si原子與O原子形成4個Si-O鍵的總鍵能比生成兩個Si=O鍵的總鍵能大，體系更穩定，所以SiO2采用乙構型更穩定
Si原子與O原子形成4個Si-O鍵的總鍵能比生成兩個Si=O鍵的總鍵能大，體系更穩定，所以SiO2采用乙構型更穩定
。（4）碳化硅（SiC）是人工合成的無機非會屬材料，其晶體結構類似于金剛石，結構如圖所示：
①在立方體體對角線的一維空間上碳、硅原子的分布規律（原子的比例大小和相對位置）正確的是
a
a
（填字母）。
②SiC晶體中硅原子與最近碳原子間距離為dcm,則硅原子與最近的硅原子間距離為
2
6
3
2
6
3
12
12
。③如果SiC晶胞邊長為anm,則SiC晶體的密度為
160
N
A
×
（
4
3
3
a
1
0
-
10
）
3
160
N
A
×
（
4
3
3
a
1
0
-
10
）
3
【考點】晶胞的計算；原子軌道雜化方式及雜化類型判斷．
【答案】3；Si＜C＜O；直線型；高于；乙；sp3；Si原子與O原子形成4個Si-O鍵的總鍵能比生成兩個Si=O鍵的總鍵能大，體系更穩定，所以SiO2采用乙構型更穩定；a；dpm；12；
2
6
3
160
N
A
×
（
4
3
3
a
1
0
-
10
）
3
【解答】
【點評】
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發布：2024/6/27 10:35:59組卷：11引用：2難度：0.6
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數依次增大，其相關信息如下：
①A的周期序數等于其主族序數；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態E原子中，電子占據的最高能層符號為，F的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現藍色沉淀，繼續滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結構（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數用NA表示，F的相對原子質量用M表示）發布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．鐵及其化合物在生產生活及科學研究方面應用非常廣泛。
（1）基態Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數為；晶體的配位體為（用化學符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題：
（1）基態碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數目和π鍵數目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結構如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4