GaN是制造5G芯片的材料,氮化鎵鋁和氮化鋁LED可發出紫外光。回答下列問題:
(1)基態As原子核外電子排布式為[Ar]3d104s24p33d104s24p3,下列狀態的鋁中,電離最外層的一個電子所需能量最小是 DD(填標號)。
A.
B.
C.
D.
(2)8-羥基喹啉鋁(分子式C27H18AlN3O3)用于 發光材料及電子傳輸材料,可由LiAlH4與
(8一羥基喹啉)合成。LiAlH4中陰離子的空間構型為 正四面體正四面體;
所含元素中電負性最大的是 OO(填元素符號),C、N、O的雜化方式依次為 sp2sp2、sp2sp2和 sp3sp3。
(3)已知下列化合物的熔點:
化合物 | AlF3 | GaF3 | AlCl3 |
熔點/℃ | 1040 | 1000 | 194 |
AlF3、GaF3為離子晶體,AlCl3為分子晶體,晶格能:AlF3>GaF3
AlF3、GaF3為離子晶體,AlCl3為分子晶體,晶格能:AlF3>GaF3
。②熔融AlCl3時可生成具有揮發性的二聚體Al2Cl6,二聚體Al2Cl6的結構式為


4
4
。【答案】3d104s24p3;D;正四面體;O;sp2;sp2;sp3;AlF3、GaF3為離子晶體,AlCl3為分子晶體,晶格能:AlF3>GaF3;
;4

【解答】
【點評】
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發布:2024/6/27 10:35:59組卷:5引用:1難度:0.6
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