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蘇州大學研究團隊對LETO材料(LiCexEu1-xTiO4)的電化學性能進行了研究,并基于微觀尺度對其進行了改進。回答下列問題:

(1)Ti的核外電子排布式為 [Ar]3d24s2[Ar]3d24s2;TiCl4分子中,Ti原子的雜化方式為 sp3sp3。
(2)第一電離能順序:IN>IO,原因是 N的價電子為2s22p3,2p軌道是半充滿,比較穩定,第一電離能較高N的價電子為2s22p3,2p軌道是半充滿,比較穩定,第一電離能較高。
(3)解釋Li的焰色現象:受熱時,Li的內層電子被激發躍遷至外層軌道,從外層軌道重新躍遷回內層軌道時,以特定波段的光能放出能量受熱時,Li的內層電子被激發躍遷至外層軌道,從外層軌道重新躍遷回內層軌道時,以特定波段的光能放出能量。
(4)某種LETO材料晶體結構示意圖如圖,晶體中O2-與Ti4+的個數比m=4:14:1。研究團隊向上述LETO材料中摻入Ce3+以改善其電化學性能,摻入Ce3+的LETO的化學式可表示為LiCexEu1-xTiOm。摻入不同數量的Ce3+時,晶格參數發生相應的變化如表所示:
x | 0 | 0.005 | 0.010 | 0.020 |
V/nm3 | 0.3243 | 0.3244 | 0.3249 | 0.3255 |
Ce3+的半徑大于Eu3+的半徑,導致摻入Ce3+的數目越多,晶格體積越大
Ce3+的半徑大于Eu3+的半徑,導致摻入Ce3+的數目越多,晶格體積越大
。LETO材料依靠填充在TiOm多面體層間的Li+的遷移導電,隨著x值的增大,推測材料的導電性能力將 增強
增強
(填“增強”“減弱”或“不變”)。(5)Ni2+與Li+半徑大小接近,但在晶格中很難遷移,當LETO材料中混有Ni2+時,Ni2+會部分取代
Li+
Li+
(填“Li+”“Ti4+”“Eu3+”或“O2-”)的位置,這可能會導致 ABC
ABC
(填選項標號)。A.Li+在材料中遷移困難
B.充放電循環穩定性欠佳
C.電容量損失
【答案】[Ar]3d24s2;sp3;N的價電子為2s22p3,2p軌道是半充滿,比較穩定,第一電離能較高;受熱時,Li的內層電子被激發躍遷至外層軌道,從外層軌道重新躍遷回內層軌道時,以特定波段的光能放出能量;4:1;Ce3+的半徑大于Eu3+的半徑,導致摻入Ce3+的數目越多,晶格體積越大;增強;Li+;ABC
【解答】
【點評】
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發布:2024/6/27 10:35:59組卷:10引用:1難度:0.7
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