硅和鍺(Ge)是典型的半導體元素,在電子、材料等領域應用廣泛?;卮鹣铝袉栴}:
(1)電子的運動狀態(tài)可從能層、能級、軌道、自旋自旋4個方面進行描述?;鶓B(tài)硅原子核外電子運動狀態(tài)有 1414種,已知Sn在元素周期表第5周期和Si同族,Sn的原子序數(shù)是 5050,基態(tài)Sn原子價層電子的空間運動狀態(tài)有 33種。
(2)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式是[Ar]3d104s24p23d104s24p2,有 22個未成對電子。下列現(xiàn)象與原子核外電子躍遷有關的是 abab。(填序號)
a.焰火
b.LED燈光
c.金屬導電
d.核輻射
(3)在周期表中,與Si的化學性質(zhì)最相似的鄰族元素是 BB,該元素基態(tài)原子核外電子排布圖是 
。
(4)比較下列鍺鹵化物的熔點和沸點,分析其變化規(guī)律及原因 三者結(jié)構(gòu)組成結(jié)構(gòu)相似,均為分子晶體,隨相對分子質(zhì)量增大,分子間作用力增大,熔沸點升高。三者結(jié)構(gòu)組成結(jié)構(gòu)相似,均為分子晶體,隨相對分子質(zhì)量增大,分子間作用力增大,熔沸點升高。。


GeCl4 | GeBr4 | GeI4 | |
熔點/℃ | ?49.5 | 26 | 146 |
沸點/℃ | 83.1 | 186 | 約400 |
【答案】自旋;14;50;3;3d104s24p2;2;ab;B;
;三者結(jié)構(gòu)組成結(jié)構(gòu)相似,均為分子晶體,隨相對分子質(zhì)量增大,分子間作用力增大,熔沸點升高。

【解答】
【點評】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:2引用:1難度:0.6
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