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          硅和鍺(Ge)是典型的半導體元素,在電子、材料等領域應用廣泛?;卮鹣铝袉栴}:
          (1)電子的運動狀態(tài)可從能層、能級、軌道、
          自旋
          自旋
          4個方面進行描述?;鶓B(tài)硅原子核外電子運動狀態(tài)有
          14
          14
          種,已知Sn在元素周期表第5周期和Si同族,Sn的原子序數(shù)是
          50
          50
          ,基態(tài)Sn原子價層電子的空間運動狀態(tài)有
          3
          3
          種。
          (2)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式是[Ar]
          3d104s24p2
          3d104s24p2
          ,有
          2
          2
          個未成對電子。下列現(xiàn)象與原子核外電子躍遷有關的是
          ab
          ab
          。(填序號)
          a.焰火
           b.LED燈光
          c.金屬導電
          d.核輻射
          (3)在周期表中,與Si的化學性質(zhì)最相似的鄰族元素是
          B
          B
          ,該元素基態(tài)原子核外電子排布圖是

          (4)比較下列鍺鹵化物的熔點和沸點,分析其變化規(guī)律及原因
          三者結(jié)構(gòu)組成結(jié)構(gòu)相似,均為分子晶體,隨相對分子質(zhì)量增大,分子間作用力增大,熔沸點升高。
          三者結(jié)構(gòu)組成結(jié)構(gòu)相似,均為分子晶體,隨相對分子質(zhì)量增大,分子間作用力增大,熔沸點升高。
          。
          GeCl4 GeBr4 GeI4
          熔點/℃ ?49.5 26 146
          沸點/℃ 83.1 186 約400

          【答案】自旋;14;50;3;3d104s24p2;2;ab;B;;三者結(jié)構(gòu)組成結(jié)構(gòu)相似,均為分子晶體,隨相對分子質(zhì)量增大,分子間作用力增大,熔沸點升高。
          【解答】
          【點評】
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          發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:2引用:1難度:0.6
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            A剛玉、金剛石三氧化二鋁
            B大理石、石灰石碳酸鈣
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            發(fā)布:2025/1/16 8:0:1組卷:75引用:7難度:0.9
          • 2.化學與生產(chǎn)、生活密切相關,下列說法正確的是( ?。?/h2>

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             材料主要化學成分
            A普通水泥、普通玻璃硅酸鹽
            B剛玉、金剛石三氧化二鋁
            C大理石、石灰石碳酸鈣
            D光導纖維、石英二氧化硅

            發(fā)布:2025/1/16 8:0:1組卷:69引用:3難度:0.9
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