人類對物質結構的探索永無止境。回答下列問題：
（1）碳硼烷酸[化學式為H（CHB11Cl11）是目前世界上已知的最強酸，但腐蝕性很小，可以作為無污染的酸催化劑。現代化學中常利用的 原子光譜原子光譜特征譜線來鑒定元素。組成碳硼烷酸的4種元素中，基態原子中未成對電子數最多的是 1s22s22p21s22s22p2（填電子排布式）。
（2）石墨炔是我國科學家在2010年首次制得一種新的碳的同素異形體，其中一種結構如圖1所示，石墨炔中碳原子的雜化類型為 sp、sp2sp、sp2。
（3）硼元素具有缺電子性。自然界中含硼元素的鈉鹽是一種天然礦藏，其化學式寫作Na2B4O7?10H2O，實際上它的結構單元是由兩個H3BO3和兩個[B（OH）4]-縮合而成的雙六元環，應該寫成Na2[B4O5（OH）4]?8H2O．其結構如圖2所示，它的陰離子可形成鏈狀結構，則該晶體中不存在的作用力是 CC（填字母）。
A．離子鍵 B．共價鍵 C．金屬鍵 D．范德華力 E．氫鍵
（4）鎵與硼元素處于同一主族，GaN是制造5G芯片的材料，可發出紫外光。
①科學家合成了一種陽離子為“Nn+5”其結構是對稱的，5個N排成“V”形，每個N原子的最外層都達到8電子穩定結構、且含有2個氮氮三鍵；此后又合成了一種含有“Nn+5”化學式為“N8”的離子晶體，N8中陰離子的空間構型為 直線形直線形，寫出一種與其互為等電子體的分子 N2O或CO2N2O或CO2（填化學式）。
②Ga和As兩種元素電負性相差不大，能形成化合物GaAs.GaAs的熔點為1238℃，其晶胞結構如圖3所示。
已知GaAs與GaN具有相同的晶胞結構，則二者晶體的類型均為 原子晶體原子晶體，GaAs的熔點 低于低于（填“高于”或“低于”）GaN，其理由是 N原子半徑小，Ga-N鍵長短，共價鍵鍵能大N原子半徑小，Ga-N鍵長短，共價鍵鍵能大。若Ga和As的原子半徑分別為rGa和rAs，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為 4×43π（r3Ga+r3As）[4（rGa+rAs）3]3×100%4×43π（r3Ga+r3As）[4（rGa+rAs）3]3×100%（列出計算式即可）。
N
n
+
5
N
n
+
5
4
×
4
3
π
（
r
3
G
a
+
r
3
A
s
）
[
4
（
r
G
a
+
r
A
s
）
3
]
3
4
×
4
3
π
（
r
3
G
a
+
r
3
A
s
）
[
4
（
r
G
a
+
r
A
s
）
3
]
3
【答案】原子光譜；1s22s22p2；sp、sp2；C；直線形；N2O或CO2；原子晶體；低于；N原子半徑小，Ga-N鍵長短，共價鍵鍵能大；×100%
4
×
4
3
π
（
r
3
G
a
+
r
3
A
s
）
[
4
（
r
G
a
+
r
A
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）
3
]
3
【解答】
【點評】
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發布：2024/4/20 14:35:0組卷：50引用：3難度：0.7
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數依次增大，其相關信息如下：
①A的周期序數等于其主族序數；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態E原子中，電子占據的最高能層符號為，F的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現藍色沉淀，繼續滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結構（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數用NA表示，F的相對原子質量用M表示）發布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
2．碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題：
（1）基態碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數目和π鍵數目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結構如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
3．鐵及其化合物在生產生活及科學研究方面應用非常廣泛。
（1）基態Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數為；晶體的配位體為（用化學符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7
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