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          在芯片制造過程中,離子注入是其中一道重要的工序。為了準(zhǔn)確的注入離子,需要在一個有限空間中用電磁場對離子的運動軌跡進(jìn)行調(diào)控。現(xiàn)在,我們來研究一個類似的模型。在空間內(nèi)存在邊長L=0.64m的立方體OACD-O'A'C'D',以O(shè)為坐標(biāo)原點,沿OA、OO'和OD方向分別建立x、y、z軸。在OACD面的中心M處存在一粒子發(fā)射源,可在底面內(nèi)沿任意方向發(fā)射初速度為
          v
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          C
          /
          kg
          的帶正電粒子(不計重力)。可在區(qū)域內(nèi)施加一定的勻強(qiáng)電場或者勻強(qiáng)磁場,使粒子可以到達(dá)相應(yīng)的空間位置。
          (1)在立方體內(nèi)施加沿y軸正向的勻強(qiáng)磁場,使粒子不飛出立方體,求施加磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的最小值;
          (2)在立方體內(nèi)施加沿y軸正向的勻強(qiáng)電場,使粒子只能從O'A'C'D'面飛出,求施加電場的電場強(qiáng)度E的最小值;
          (3)在立方體內(nèi)施加沿y軸正向的勻強(qiáng)磁場,若磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B=4.0×10-3T,求粒子在磁場中運動時間的最大值tmax和最小值tmin
          (4)在(3)問的基礎(chǔ)上再加上沿y軸正向的勻強(qiáng)電場,電場強(qiáng)度為E=4.0×102N/C。問(3)中最大時間和最小時間對應(yīng)的粒子能否從O'A'C'D'面飛出?若粒子不能從O'A'C'D'面飛出,請寫出這些粒子飛出立方體區(qū)域時的空間坐標(biāo)(x,y,z)。

          【答案】(1)在立方體內(nèi)施加沿y軸正向的勻強(qiáng)磁場,使粒子不飛出立方體,施加磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的最小值為5.0×10-3T;
          (2)在立方體內(nèi)施加沿y軸正向的勻強(qiáng)電場,使粒子只能從O'A'C'D'面飛出,施加電場的電場強(qiáng)度E的最小值為8.0×102N/C;
          (3)在立方體內(nèi)施加沿y軸正向的勻強(qiáng)磁場,若磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B=4.0×10-3T,粒子在磁場中運動時間的最大值tmax為2.5π×10-6s,最小值tmin
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          π
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          s

          (4)在磁場中運動時間最長的粒子能從O'A'C'D'平面射出,運動時間最短的粒子不能從O'A'C'D'平面射出,飛出的空間坐標(biāo)為(0m,0.43m,0.32m)。
          【解答】
          【點評】
          聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
          發(fā)布:2024/9/30 5:0:1組卷:27引用:2難度:0.3
          相似題
          • 1.在如圖所示的平面直角坐標(biāo)系中,第二象限內(nèi)存在水平向左的勻強(qiáng)電場,在x軸上有兩個粒子源A、B,沿y軸正向以相同速度同時發(fā)射質(zhì)量相同、電荷量相同的帶負(fù)電的粒子,粒子源A、B的坐標(biāo)分別為xA=-9L、xB=-4L。通過電場后A、B兩處發(fā)射的粒子分別從y軸上的C、D兩點(圖中未畫出)進(jìn)入第一象限。不計粒子重力及粒子間的相互作用。
            (1)設(shè)C、D兩點坐標(biāo)分別為(0,yC)、(0,yD),求yC、yD的比值;
            (2)若第一象限內(nèi)未加任何場,兩處粒子將在第一象限內(nèi)某點相遇,求相遇點的橫坐標(biāo);
            (3)若第一象限內(nèi)y>yC區(qū)域,加上垂直于坐標(biāo)平面方向向里的勻強(qiáng)磁場(圖中未畫出),兩處粒子最終將從磁場飛出,求兩處粒子飛出位置間的距離。

            發(fā)布:2024/12/29 20:30:1組卷:25引用:3難度:0.4
          • 2.如圖,在xOy坐標(biāo)系中的第一象限內(nèi)存在沿x軸正方向的勻強(qiáng)電場,第二象限內(nèi)存在方向垂直紙面向外磁感應(yīng)強(qiáng)度B=
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            m
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            e
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            的勻強(qiáng)磁場,磁場范圍可調(diào)節(jié)(圖中未畫出)。一粒子源固定在x軸上M(L,0)點,沿y軸正方向釋放出速度大小均為v0的電子,電子經(jīng)電場后從y軸上的N點進(jìn)入第二象限。已知電子的質(zhì)量為m,電荷量的絕對值為e,ON的距離
            2
            3
            3
            L
            ,不考慮電子的重力和電子間的相互作用,求:
            (1)第一象限內(nèi)所加電場的電場強(qiáng)度;
            (2)若磁場充滿第二象限,電子將從x軸上某點離開第二象限,求該點的坐標(biāo);
            (3)若磁場是一個圓形有界磁場,要使電子經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)后通過x軸時,與y軸負(fù)方向的夾角為30°,求圓形磁場區(qū)域的最小面積。

            發(fā)布:2024/12/29 23:30:1組卷:255引用:5難度:0.3
          • 3.在“質(zhì)子療法”中,質(zhì)子先被加速到具有較高的能量,然后被引向轟擊腫瘤,殺死細(xì)胞。如圖所示,質(zhì)量為m、電荷量為q的質(zhì)子從極板A處由靜止加速,通過極板A1中間的小孔后進(jìn)入速度選擇器,并沿直線運動。速度選擇器中的勻強(qiáng)磁場垂直紙面向里,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B=0.01T,極板CC1間的電場強(qiáng)度大小為E=1×105N/C。坐標(biāo)系xOy中yOP區(qū)域充滿沿y軸負(fù)方向的勻強(qiáng)電場Ⅰ,xOP區(qū)域充滿垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場Ⅱ,OP與x軸夾角a=30°。勻強(qiáng)磁場Ⅱ的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B1,且1T≤B1≤1.5T。質(zhì)子從(0,d)點進(jìn)入電場Ⅰ,并垂直O(jiān)P進(jìn)入磁場Ⅱ。取質(zhì)子比荷為
            q
            m
            =
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            /
            kg
            ,d=0.5m。求:
            (l)極板AA1間的加速電壓U;
            (2)勻強(qiáng)電場Ⅰ的電場強(qiáng)度E1
            (3)質(zhì)子能到達(dá)x軸上的區(qū)間的長度L(結(jié)果用根號表示)。

            發(fā)布:2024/12/29 20:30:1組卷:120引用:3難度:0.6
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