如圖所示,一水平分界線KL把足夠長的豎直邊界NS和MT之間的空間分為上下兩部分,KL上方區域存在豎直向下的勻強電場,KL下方區域存在垂直紙面向外的勻強磁場。在NS和MT邊界上,距KL高h處分別有P、Q兩點。一電荷量為q、質量為m的帶正電的粒子(重力不計)以初速度v0從P點垂直于邊界NS進入勻強電場,經偏轉后從邊界KL進入勻強磁場,并恰好不從邊界NS射出。若勻強電場的電場強度E=mv206qh。
(1)求粒子剛進入磁場時的速度v;
(2)求勻強磁場的磁感應強度B;
(3)調節NS與MT兩邊界間的距離,使粒子恰好從Q點離開MT邊界,求粒子從P點進入電場到Q點離開MT邊界運動時間t的可能值。
m
v
2
0
6
qh
【答案】(1)求粒子剛進入磁場時的速度大小為,方向與KL成30°角指向右下方。
(2)求勻強磁場的磁感應強度大小為。
(3)求粒子從P點進入電場到Q點離開MT邊界運動時間t的可能值。
2
3
3
v
0
(2)求勻強磁場的磁感應強度大小為
m
v
0
2
qh
(3)求粒子從P點進入電場到Q點離開MT邊界運動時間t的可能值
12
3
+
10
π
3
?
nh
v
0
(
n
=
1
,
2
,
3
…
)
【解答】
【點評】
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發布:2024/4/20 14:35:0組卷:122引用:2難度:0.6
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,不考慮P、Q兩板電壓的變化對磁場的影響,也不考慮粒子的重力及粒子間的相互影響,求:ml2qt02
(1)t=0時刻進入兩板間的帶電粒子射入磁場時的速度;
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