(CdSe)n小團簇(CdnSen,n=1~16)為Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體材料,具有獨特的光學和電學性質,常應用于發光二極管、生物系統成像與診斷等方面。
回答下列問題:
(1)基態Se原子的價層電子排布式為4s24p44s24p4。
(2)Cd的第一電離能大于同周期相鄰元素,原因是Cd的價電子排布式為4d105s2,原子軌道為全充滿狀態Cd的價電子排布式為4d105s2,原子軌道為全充滿狀態。
(3)CdS、CdSe、CdTe均為重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體材料,熔點分別為1750℃、1350℃、1041℃,上述熔點呈規律性變化的原因是CdS、CdSe、CdTe均為離子化合物,陽離子相同,陰離子半徑:S2-<Se2-<Te2-,晶格能:CdS>CdSe>CdTeCdS、CdSe、CdTe均為離子化合物,陽離子相同,陰離子半徑:S2-<Se2-<Te2-,晶格能:CdS>CdSe>CdTe。
(4)利用有機配體PH3、N(CH3)3等修飾(CdSe)2可改善其光致發光效率。其中PH3的空間構型是三角錐形三角錐形。N(CH3)3中參與形成配位鍵的孤電子對占據的軌道是sp3sp3。
(5)CdSe 的一種晶體為閃鋅礦型結構,晶胞結構如圖所示。其中原子坐標參數 A 為(14,14,14),則B、C的原子坐標參數分別為(34,34,14)、(14,34,34)(34,34,14)、(14,34,34)。該晶胞中CdSe鍵的鍵長為34anm34anm。已知Cd和Se的原子半徑分別為rCdnm和rSenm,則該晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為4π3×4×(rCd3+rSe3)a3×100%4π3×4×(rCd3+rSe3)a3×100%。
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【答案】4s24p4;Cd的價電子排布式為4d105s2,原子軌道為全充滿狀態;CdS、CdSe、CdTe均為離子化合物,陽離子相同,陰離子半徑:S2-<Se2-<Te2-,晶格能:CdS>CdSe>CdTe;三角錐形;sp3;(,,)、(,,);nm;×100%
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【解答】
【點評】
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發布:2024/6/27 10:35:59組卷:35引用:3難度:0.6
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1.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數依次增大,其相關信息如下:
①A的周期序數等于其主族序數;
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子;
③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1;
④F原子有四個能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個電子.
試回答下列問題:
(1)基態E原子中,電子占據的最高能層符號為
(2)B、C、D的電負性由大到小的順序為
(3)B和D分別與A形成的化合物的穩定性:BA4小于A2D,原因是
(4)以E、F的單質為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應式為
(5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現藍色沉淀,繼續滴加氨水,藍色沉淀溶解,得到深藍色溶液,再向深藍色透明溶液中加入乙醇,析出深藍色晶體.藍色沉淀溶解的離子方程式為
(6)F的晶胞結構(面心立方)如圖2所示:已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為發布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5 -
2.碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題:
(1)基態碳原子的價層電子排布圖為
(2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
(3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構型,比較三者鍵角的大小
(4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據此判斷C60的晶體類型是
(5)C60晶胞結構如圖,C60分子處于頂點和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點構成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點構成),則平均每一個C60晶胞中有發布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4 -
3.鐵及其化合物在生產生活及科學研究方面應用非常廣泛。
(1)基態Fe原子的價層電子的電子排布圖為
(2)(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為
③SO42-中S原子的雜化方式為
(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數為
(4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數的值為NA,其晶體密度的計算表達式為發布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7