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          硅、鍺(Ge)及其化合物廣泛應用于光電材料領域。回答下列問題:
          (1)基態硅原子最外層的電子排布圖為
          ,晶體硅和碳化硅熔點較高的是
          SiC
          SiC
          (填化學式);
          (2)硅和鹵素單質反應可以得到SiX4,SiX4的熔沸點如下表:
          SiF4 SiCl4 SiBr4 SiI4
          熔點/K 183.0 203.2 278.6 393.7
          沸點/K 187.2 330.8 427.2 560.7
          ①SiF4、SiCl4、SiBr4、SiI4沸點依次升高的原因是
          不含氫鍵的分子結構相似的分子晶體,相對分子質量依次增大,分子間作用力逐漸增強
          不含氫鍵的分子結構相似的分子晶體,相對分子質量依次增大,分子間作用力逐漸增強
          ,氣態SiF4分子的空間構型是
          四面體形
          四面體形

          ②SiCl4與N-甲基咪唑反應可以得到M2+,其結構如圖所示:

          N-甲基咪唑分子中碳原子的雜化軌道類型為
          sp3和sp2
          sp3和sp2
          ,H、C、N的電負性由大到小的順序為
          N>C>H
          N>C>H
          ,1個M2+中含有
          54
          54
          個σ鍵。
          (3)如圖是Mg、Ge、O三種元素形成的某化合物的晶胞示意圖。

          ①已知化合物中Ge和O的原子個數比為1:4,圖中Z表示
          O
          O
          原子(填元素符號),該化合物的化學式為
          Mg2GeO4
          Mg2GeO4

          ②已知該晶胞的晶胞參數分別為anm、bnm、cnm,α=β=γ=90°,則該晶體的密度ρ=
          740
          abc
          N
          A
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          abc
          N
          A
          ×
          1
          0
          -
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          【答案】;SiC;不含氫鍵的分子結構相似的分子晶體,相對分子質量依次增大,分子間作用力逐漸增強;四面體形;sp3和sp2;N>C>H;54;O;Mg2GeO4
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          abc
          N
          A
          ×
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          【解答】
          【點評】
          聲明:本試題解析著作權屬菁優網所有,未經書面同意,不得復制發布。
          發布:2024/4/20 14:35:0組卷:39引用:3難度:0.7
          相似題
          • 1.鐵及其化合物在生產生活及科學研究方面應用非常廣泛。
            (1)基態Fe原子的價層電子的電子排布圖為
             
            ;其最外層電子的電子云形狀為
             

            (2)(NH42Fe(SO42?6H2O俗稱摩爾鹽
            ①NH4+電子式為
             

            ②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為
             
            (用元素符號表示)
            ③SO42-中S原子的雜化方式為
             
            ,VSEPR模型名稱為
             

            (3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數為
             
            ;晶體的配位體為
             
            (用化學符號表示)
            (4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數的值為NA,其晶體密度的計算表達式為
             
            g?cm-3

            發布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7
          • 2.碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題:
            (1)基態碳原子的價層電子排布圖為
             

            (2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
             
             
            ,所含σ鍵數目和π鍵數目之比為
             

            (3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構型,比較三者鍵角的大小
             
            (由大到小,用H一R-H表示),其原因是
             

            (4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據此判斷C60的晶體類型是
             

            (5)C60晶胞結構如圖,C60分子處于頂點和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
             
            g/cm3
            C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點構成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點構成),則平均每一個C60晶胞中有
             
            個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后,這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫(Cs)填滿所有空隙,距離最近的兩個Cs原子間的距離為
             
             ?。

            發布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
          • 3.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數依次增大,其相關信息如下:
            ①A的周期序數等于其主族序數;
            ②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子;
            ③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1
            ④F原子有四個能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個電子.
            試回答下列問題:
            (1)基態E原子中,電子占據的最高能層符號為
             
            ,F的價層電子排布式為
             

            (2)B、C、D的電負性由大到小的順序為
             
            (用元素符號填寫),C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為
             

            (3)B和D分別與A形成的化合物的穩定性:BA4小于A2D,原因是
             

            (4)以E、F的單質為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應式為
             

            (5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現藍色沉淀,繼續滴加氨水,藍色沉淀溶解,得到深藍色溶液,再向深藍色透明溶液中加入乙醇,析出深藍色晶體.藍色沉淀溶解的離子方程式為
             

            (6)F的晶胞結構(面心立方)如圖2所示:已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為
             
            g/cm3(阿伏加德羅常數用NA表示,F的相對原子質量用M表示)

            發布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5
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