近年來，“硅基生命”研究受到科學界關注?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態硅原子價層電子排布圖為

，晶體硅和碳化硅熔點較高的是

SiC

SiC

（填化學式）。
（2）硅與氫結合能形成丁硅烯（Si₄H₈）和硅烷（SiH₄），丁硅烯分子中σ鍵與π鍵個數之比為

11：1

11：1

；SiH₄的空間構型為

正四面體

正四面體

。
（3）太陽能電池板主要材料為單晶硅或多晶硅。單晶硅的晶體類型為

共價晶體

共價晶體

。SiCl₄是生產高純硅的前驅體，其中Si采取的雜化類型為

sp³雜化

sp³雜化

。
SiCl₄可發生水解反應，機理如圖1：

含s、p、d軌道的雜化類型有①dsp²、②sp³d、③spd²，中間體SiCl₄（H₂O）中Si采取的雜化類型為

②

②

（填標號）。
（4）天然硅酸鹽組成復雜，其復雜性在其陰離子，而陰離子的基本結構單元是硅氧四面體（SiO）。硅、氧原子通過共用氧原子形成各種不同的硅酸根負離子，無限長鏈的硅酸根離子（如圖甲所示）的化學式可用通式表示為

（Si_nO_3n）^2n-或SiO₃^2-

（Si_nO_3n）^2n-或SiO₃^2-

（用n代表Si原子數，不考慮邊界氧原子）。

（5）以晶胞參數為單位長度建立的坐標系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子分數坐標。CsSiB₃O₇屬正交晶系（長方體形）。晶胞參數為apm、bpm、cpm。如圖乙為沿y軸投影的晶胞中所有Cs原子的分布圖和原子分數坐標。CsSiB₃O₇的摩爾質量為Mg?mol^-1，設N_A為阿伏加德羅常數的值，則CsSiB₃O₇晶體的密度為

4

M

×

10

30

abc

N

A

4

M

×

10

30

abc

N

A

g?cm^-3（用代數式表示）。