Ⅰ．碳族元素的單質和化合物在化工、醫(yī)藥、材料等領域有著廣泛的應用。
（1）鍺是優(yōu)良的半導體材料，基態(tài)Ge原子中，最高能級電子云輪廓圖的名稱為 啞鈴型啞鈴型。Ge與C同族，C原子之間可以形成雙鍵、三鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或三鍵，從原子結構角度分析，原因是 Ge原子半徑大，原子間形成的σ單鍵較長，p-p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊，難以形成π鍵Ge原子半徑大，原子間形成的σ單鍵較長，p-p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊，難以形成π鍵。
（2）碳可形成CO、CO2、H2CO3等多種無機化合物。
①在反應CO轉化成CO2的過程中，下列說法正確的是 AA。
A．每個分子中孤對電子數(shù)增多
B．分子的極性不變
C．原子間成鍵方式未改變
D．分子的熔沸點變小
②干冰和冰是兩種常見的分子晶體，晶體中的空間利用率：干冰 ＞＞冰（填“＞”、“＜”或“=”）；CO2與SiO2是否互為等電子體 否否（填“是”或“否”）。
③X是碳的一種氧化物，X的五聚合體結構如圖1所示。X分子中每個原子都滿足最外層8電子結構，X分子的電子式為 
。
（3）C60分子是由許多正五邊形構成的空心籠狀結構如圖2所示，分子中每個碳原子只跟相鄰的3個碳原子形成化學鍵。則C60分子中含 9090個σ鍵。
（4）某種Ga2O3的晶體結構如圖3所示，O2-以六方最密方式堆積，Ga3+在其八面體空隙中（注：未全部標出，如：Ga3+在1、2、3、4、5、6構成的八面體體心）。
①該晶胞中O2-的配位數(shù)為 44。
②該晶胞有 66.766.7%（保留一位小數(shù)）八面體空隙填充陽離子。
③已知氧離子半徑為rcm,晶胞的高為hcm,NA代表阿伏加德羅常數(shù)的值，該晶體的密度為 18833r2hNA18833r2hNAg?cm-3（用含a、b和NA的代數(shù)式表示）。
188
3
3
r
2
h
N
A
188
3
3
r
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h
N
A
【考點】晶胞的計算．
【答案】啞鈴型；Ge原子半徑大，原子間形成的σ單鍵較長，p-p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊，難以形成π鍵；A；＞；否；；90；4；66.7；
；90；4；66.7；188
3
3
r
2
h
N
A
【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：37引用：1難度：0.5
相似題
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1．鐵及其化合物在生產生活及科學研究方面應用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
2．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結構（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
3．碳及其化合物有著重要用途。回答下列問題：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結構如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4