2019年天津市高考化學(xué)模擬試卷
發(fā)布：2024/4/20 14:35:0
一、選擇題（共12小題，每小題3分，滿分36分）
-
1．化學(xué)在人類社會發(fā)展中發(fā)揮著重要作用，下列事實不涉及化學(xué)反應(yīng)的是（ ?。?/h2>
組卷：795引用：15難度：0.6 -
2．下列敘述正確的是（ ?。?/h2>
組卷：10引用：1難度：0.8 -
3．下列與疫情防護有關(guān)的敘述不正確的是（ ?。?/h2>
組卷：7引用：1難度：0.7 -
4．四種短周期金屬元素W、X、Y、Z逐級電離能如表所示：
下列說法不正確的是（ ?。?/h2>電離能（kJ?mol-1） I1 I2 I3 I4 W 932 1821 15390 21771 X 738 1451 7733 10540 Y 496 4562 6912 9543 Z 578 1817 2745 11575 組卷：12引用：2難度：0.7 -
5．下列離子方程式能用來解釋相應(yīng)實驗現(xiàn)象的是（ ?。?br />
實驗現(xiàn)象 離子方程式 A 向氫氧化鎂懸濁液中滴加氯化銨溶液，沉淀溶解 Mg（OH）2+2NH4+═Mg2++2NH3?H2O B 向沸水中滴加飽和氯化鐵溶液得到紅褐色液體 Fe3++3H2O═Fe（OH）3↓+3H+ C 二氧化硫使酸性高錳酸鉀溶液褪色 3SO2+2MnO4-+4H+═3SO42-+2Mn2++2H2O D 氧化亞鐵溶于稀硝酸 FeO+2H+═Fe2++H2O 組卷：1557引用：13難度：0.7
二、解答題（共4小題，滿分64分）
-
15．環(huán)己烯是重要的化工原料。其實驗室制備流程如圖1。
回答下列問題：
Ⅰ．環(huán)己烯的制備與提純
（1）原料環(huán)己醇中若含苯酚雜質(zhì)，檢驗試劑為。
（2）操作1的裝置如圖2所示（加熱和夾持裝置已略去）。
①燒瓶A中進行的可逆反應(yīng)化學(xué)方程式為，濃硫酸也可作該反應(yīng)的催化劑，選擇FeCl3?6H2O而不用濃硫酸的原因為。（填序號）
a.濃硫酸易使原料炭化并產(chǎn)生SO2
b.FeCl3?6H2O污染小、可循環(huán)使用，符合綠色化學(xué)理念
c.同等條件下，用FeCl3?6H2O比濃硫酸的平衡轉(zhuǎn)化率高
②儀器B的作用為。
（3）操作2用到的玻璃儀器是。
（4）將操作3（蒸餾）的步驟補齊：安裝蒸餾裝置，加入待蒸餾的物質(zhì)和沸石，，棄去前餾分，收集83℃的餾分。
Ⅱ．環(huán)己烯含量的測定
在一定條件下，向ag環(huán)己烯樣品中加入定量制得的bmol Br2，與環(huán)己烯充分反應(yīng)后，剩余的Br2與足量KI作用生成I2，用cmol?L-1的Na2S2O3標(biāo)準(zhǔn)溶液滴定，終點時消耗Na2S2O3標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)溶液vmL（以上數(shù)據(jù)均已扣除干擾因素）
測定過程中，發(fā)生的反應(yīng)如下：
①Br2+
→
②Br2+2KI═I2+2KBr
③I2+2Na2S2O3═2NaI+Na2S4O6
（5）滴定所用指示劑為。樣品中環(huán)己烯的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為。（用字母表示）
（6）下列情況會導(dǎo)致測定結(jié)果偏低的是。（填序號）
a.樣品中含有苯酚雜質(zhì)
b.在測定過程中部分環(huán)己烯揮發(fā)
c.Na2S2O3標(biāo)準(zhǔn)溶液部分被氧化組卷：26引用：3難度：0.4 -
16．多晶硅是制作光伏電池的關(guān)鍵材料。以下是由粗硅制備多晶硅的簡易過程。
回答下列問題：
Ⅰ．硅粉與HCl在300℃時反應(yīng)生成1molSiHCl3氣體和H2，放出225kJ熱量，該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為。SiHCl3的電子式為。
Ⅱ．將SiCl4氫化為SiHCl3有三種方法，對應(yīng)的反應(yīng)依次為：
①SiCl4（g）+H2（g）?SiHCl3（g）+HCl（g）△H1＞0
②3SiCl4（g）+2H2（g）+Si（s）?4SiHCl3（g）△H2＜0
③2SiCl4（g）+H2（g）+Si（s）+HCl（g）?3SiHCl3（g） △H3
（1）氫化過程中所需的高純度H2可用惰性電極電解KOH溶液制備，寫出產(chǎn)生H2的電極名稱（填“陽極”或“陰極”），該電極反應(yīng)方程式為。
（2）已知體系自由能變△G=△H-T△S，△G＜0時反應(yīng)自發(fā)進行。三個氫化反應(yīng)的△G與溫度的關(guān)系如圖1所示，可知：反應(yīng)①能自發(fā)進行的最低溫度是；相同溫度下，反應(yīng)②比反應(yīng)①的△G小，主要原因是。
（3）不同溫度下反應(yīng)②中SiCl4轉(zhuǎn)化率如圖2所示。下列敘述正確的是（填序號）。
a.B點：v正＞v逆
b.v正：A點＞E點
c.反應(yīng)適宜溫度：480～520℃
（4）反應(yīng)③的△H3=（用△H1，△H2表示）。溫度升高，反應(yīng)③的平衡常數(shù)K（填“增大”、“減小”或“不變”）。
（5）由粗硅制備多晶硅過程中循環(huán)使用的物質(zhì)除SiCl4、SiHCl3和Si外，還有（填分子式）。組卷：783引用：6難度：0.4