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          2021-2022學年吉林省吉林一中高二(下)第一次質檢化學試卷

          發布:2024/4/20 14:35:0

          一、單選題(每題2分)

          • 1.鍶(Sr)是人體不可缺少的一種微量元素,位于元素周期表中第五周期第ⅡA族。下列關于38Sr的說法正確的是(  )

            組卷:14引用:2難度:0.6
          • 2.下列說法不正確的是(  )

            組卷:18引用:1難度:0.8
          • 3.下列關于原子和分子結構的說法中,正確的是( ?。?/h2>

            組卷:37難度:0.5
          • 4.維生素B5的結構如圖所示,下列有關維生素B5的說法正確的是( ?。?/h2>

            組卷:3引用:2難度:0.6
          • 5.CsCl晶體結構如圖所示,對相距最近的兩個Cs+與它們最近的Cl-之間夾角的判斷正確的是( ?。?/h2>

            組卷:8引用:2難度:0.8
          • 6.關于氫鍵,下列說法正確的是( ?。?/h2>

            組卷:31引用:2難度:0.8
          • 7.下列各項敘述中,正確的是( ?。?/h2>

            組卷:15引用:1難度:0.6
          • 8.下列含有極性鍵的非極性分子是(  )
            ①CCl4②NH3③CH4④CO2⑤N2⑥H2S⑦SO2⑧CS2⑨H2O⑩HF

            組卷:119引用:3難度:0.6

          三、填空題

          • 24.甲氧芐啶(G)是磺胺類抗菌藥物的增效劑,其合成路線如下:

            回答下列問題:
            (1)E中的官能團名稱是
             
            、
             
            。
            (2)B→C的反應類型為
             
            ;試劑X的結構簡式為
             
            。
            (3)若每分子F的碳碳雙鍵加上了一分子Br2,產物中手性碳個數為
             

            (4)B的同分異構體中能同時滿足以下三個條件的有
             
            種(不考慮立體異構)。
            ①屬于A的同系物;
            ②苯環上有4個取代基;
            ③苯環上一氯代物只有一種。
            (5)以異煙醛()和乙醇為原料,制備抗結核桿菌藥異煙肼的合成路線如下:
            O
            2
            催化劑
            Y
            C
            2
            H
            5
            OH
            濃硫酸
            H
            2
            N
            -
            N
            H
            2
            ?
            H
            2
            O
            異煙肼
            寫出生成Y的化學反應方程式
             
            ;異煙肼的結構簡式為
             
            。

            組卷:540引用:2難度:0.3
          • 25.第ⅢA主族元素有著廣泛的應用,B可用作特種玻璃,Al可用作火箭和飛機外殼,In可用于電子儀器中,Tl可用于紅外技術。回答下列問題:
            (1)B能形成很多類似于烴類的物質,B與N元素可形成無機苯B3N3H6,它與苯的結構很相似,該分子中N的雜化方式是
             
            。
            (2)電解氧化鋁需要添加冰晶石Na3AlF6,它的陰離子的空間結構為
             
            ,它可通過以下反應制備:Al(OH)3+3NaOH+6HF=Na3AlF6+6H2O,該反應涉及的5種元素電負性最大的是
             
            。
            (3)AlF3、AlCl3熔點分別為1290℃和192℃,熔點呈現如此變化的原因是
             
            。
            (4)H3BO3晶體形成層狀結構,每一層的結構如圖1所示,層與層之間距離為318pm(大于氫鍵的長度),硼酸晶體屬于
             
            晶體,晶體中含有的作用力有
             
            ,則1molH3BO3的晶體中有
             
            mol氫鍵。
            (5)GaN是二元Ⅲ-VA族的直接帶隙半導體,非常適合制造光電器件,GaN具有六方纖鋅礦結構,晶胞示意圖如圖所示,該晶胞的邊長a=318pm,c=517pm。該GaN晶體的密度ρ=
             
            g?cm-3。(只列計算式,NA表示阿伏加德羅常數)

            組卷:7引用:1難度:0.5
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