2022-2023學年浙江省浙南名校聯盟高二(下)期末物理試卷
發布:2024/8/13 0:0:1
一、選擇題I(本題共13小題,每小題3分,共39分。每小題列出的四個選項中只有一個是符合題目要求的,不選、多選、錯選均不得分)
-
1.下列物理量屬于矢量,且其單位用國際單位制基本單位表示正確的是( )
A.力:N B.磁通量:kg?m2/A?s2 C.功:kg?m2/s2 D.電場強度:kg?m/A?s3 組卷:116引用:3難度:0.5 -
2.下列說法正確的是( )
A.在恒力作用下,物體可能做速率先減小后增大的曲線運動 B.做曲線運動的物體其加速度的大小不一定改變,但方向一定時刻改變 C.在足球運動中,若要研究形成香蕉球的原因時,可以將足球看成質點 D.羽毛球被扣殺后,飛入對方場地的過程中受重力、空氣阻力和球拍的作用力 組卷:47引用:3難度:0.7 -
3.關于靜電屏蔽,下列說法不正確的是( )
A.圖甲中建筑物頂端的避雷針必須通過導線與大地保持良好接觸 B.圖乙中,為了實現屏蔽作用,金屬網必須與大地保持良好接觸 C.圖丙中三條高壓輸電線上方的兩條導線與大地相連,可把高壓線屏蔽起來,免遭雷擊 D.圖丁中帶電作業工人穿著含金屬絲織物制成的工作服,是為了屏蔽高壓線周圍的電場 組卷:225引用:9難度:0.8 -
4.根據近代物理知識,下列說法中正確的是( )
A.鈾核裂變的核反應方程為 U23592Ba→14156Kr+9236n+210B.在原子核中,結合能越大表示原子核中的核子結合得越牢固 C.一定質量的理想氣體,在壓強不變時,單位時間內分子與單位面積器壁碰撞次數隨溫度降低而減少 D.生產半導體器件時需要在純凈的半導體材料中摻入其他元素,這可以在高溫條件下利用分子的擴散來完成 組卷:48引用:3難度:0.7 -
5.宇宙間存在一些離其他恒星較遠的三星系統,其中有一種三星系統如圖所示,三顆質量均為m的星體位于等邊三角形的三個頂點,三角形邊長為L,忽略其他星體對它們的引力作用,三星在同一平面內繞三角形中心O做勻速圓周運動,引力常量為G,下列說法正確的是( )
A.每顆星做圓周運動的角速度為 GmL3B.每顆星做圓周運動的加速度大小與三星的質量無關 C.若距離L和每顆星的質量m都變為原來的2倍,則周期變為原來的2倍 D.若距離L和每顆星的質量m都變為原來的2倍,則線速度變為原來的4倍 組卷:431引用:3難度:0.5 -
6.利用霍爾效應制作的霍爾元件,廣泛應用于測量和自動控制等領域。如圖是霍爾元件的工作原理示意圖,一塊長為a,寬為c的矩形半導體霍爾元件,元件內的導電微粒是電荷量為e的自由電子,通入圖示方向的電流時,電子的定向移動速度為v,當磁感應強度B垂直于霍爾元件的工作面向下時,前后兩表面會形成電勢差U,下列說法中正確的是( )
A.前表面的電勢比后表面的低 B.前、后表面間的電壓U與v無關 C.前、后表面間的電壓U與c成正比 D.自由電子受到的洛倫茲力大小為 eUa組卷:151引用:3難度:0.4 -
7.一列沿x軸正向傳播的簡諧波,t=0時刻的波形如圖所示,t=10s時d質點第一次位于波峰位置,下列說法正確的是( )
A.波上各質點的起振方向向上 B.波的傳播速度大小為2m/s C.0~7s內a、b兩質點運動路程均為0.7m D.d質點的振動方程為 yd=-10cosπ2t(cm)組卷:140引用:3難度:0.5
三、非選擇題(本題共7小題,共55分)
-
21.如圖所示,水平金屬圓環由沿半徑方向的金屬桿連接,外環和內環的半徑分別是R1=0.2m,R2=0.1m。兩環通過電刷分別與間距L=0.2m的平行光滑水平金屬軌道PM和P′M′相連,MM′右側是水平絕緣導軌,并由一小段圓弧平滑連接傾角θ=30°的等距金屬導軌,下方連接阻值R=0.2Ω的電阻。水平導軌接有理想電容器,電容C=1F。導體棒ab、cd,垂直靜止放置于MM′兩側,質量分別為m1=0.1kg,m2=0.2kg,電阻均為r=0.1Ω。ab放置位置與MM′距離足夠長,所有導軌均光滑,除已知電阻外,其余電阻均不計。整個裝置處在豎直向下的勻強磁場中,磁感應強度B=1T,忽略磁場對電容器的影響。圓環處的金屬桿做順時針勻速轉動,角速度ω=20rad/s。求:
(1)S擲向1,穩定后電容器所帶電荷量的大小q;
(2)在題(1)的基礎上,再將S擲向2,導體棒ab到達MM′的速度大小;
(3)ab與cd棒發生彈性碰撞后,cd棒由水平導軌進入斜面忽略能量損失,沿斜面下滑12m距離后,速度達到最大,求電阻R上產生的焦耳熱(此過程ab棒不進入斜面)。組卷:261引用:4難度:0.3 -
22.現代科學研究中經常利用電場、磁場來控制帶電粒子的運動。在空間坐標系O-xyz中存在如圖所示的電磁場,在xOz平面內,圓心O1的位置坐標為(0,R),半徑為R,圓內存在垂直紙面向外的勻強磁場B1;在其左側有一離子源E飄出質量為m、電荷量為q、初速度為0的一束正離子,這束離子經電勢差
的電場加速后,從小孔F(點F與O1等高)沿著x軸正方向射入勻強磁場區域B1,離子恰好從點O離開進入勻強磁場B2。豎直放置的長方形離子收集板MNPQ與xOz面相距R,邊MQ足夠長與x軸方向平行且與y軸交于點T,寬MN為2R,勻強磁場B2只局限于收集板正前方的空間區域,磁場方向與xOy所在平面平行且與x軸正方向的夾角大小為θ,調節勻強磁場的磁感應強度B2大小,使帶正電離子偏轉后能打到收集板上被吸收。不考慮離子重力和離子間的相互作用(已知:sin37°=0.6,cos37°=0.8,cos76°=0.25)U=mv202q
(1)求勻強磁場B1大小;
(2)若角度θ=0,求磁感應強度B2大小的范圍;
(3)若角度θ=37°,磁感應強度,求離子打在收集板上位置的坐標;B2=4mv05qR
(4)若角度θ的大小在0到90°之間,試定量討論磁感應強度B2的范圍。組卷:61引用:3難度:0.5